NAND flash memory merupakan jenis teknologi penyimpanan yang bersifat non-volatile yaitu memori yang tidak membutuhkan daya untuk mempertahankan data yang telah disimpannya. Memori atau tempat penyimpanan ini bisa menyimpan data dengan jangka waktu yang lama tanpa merusak data-data yang ada di dalamnya. Pada tahun 1989, perusahaan Jepang mengembangkan memori flash NAND dan yang terkenal yaitu Toshiba. Fujio Masuoka yaitu insinyur terkemuka yang menciptakan memori flash ini dengan rekan-rekannya dalam tim pengembangan. Tujuan penting pengembangan NAND flash memory yaitu untuk mengurangi biaya per bit dan meningkatkan kapasitas maksimum chip, sehingga memori flash bisa bersaing dengan perangkat penyimpanan magnetik, seperti hard disk.
Memori jenis NAND flash ini ditemukan di sebagian besar perangkat digital saat ini seperti USB Drive, SSD, kamera digital, smartphone, tablet dan laptop. Memori NAND flash menawarkan kecepatan baca dan tulis yang cepat, serta penyimpanan berkapasitas tinggi.
Jenis - jenis NAND Flash
Berikut ini adalah jenis-jenis NAND flash memory :
SLC
SLC atau single-level-cell merupakan NAND flash model lama yang hanya bisa menyimpan 1 bit per sel. SLC memiliki daya tahan tertinggi tetapi juga termasuk jenis penyimpanan flash NAND termahal.
MLC
MLC atau multi-level-cell yang di setiap sel-nya bisa menyimpan 2 bit per sel. MLC ini memiliki daya tahan yang lebih rendah daripada SLC karena siklus tulis dan hapus terjadi dua kali lebih banyak daripada SLC. Akan tetapi, MLC lebih murah dan banyak digunakan di PC (Personal Computer).
TLC
TLC atau triple-level-cell yang di setiap sel-nya bisa menyimpan 3 bit memori. Banyak produk tingkat konsumen yang menggunakan TLC ini karena lebih murah, namun kinerjanya lebih rendah.
QLC
QLC atau quad-level-cell yang bisa menyimpan 4 bit per sel. QLC memiliki daya tahan yang lebih rendah dan umumnya lebih murah.
Memori Flash NAND 2D
Pada memori flash NAND 2D, sel penyimpanan ditumpuk secara horizontal membuat matriks dua dimensi. Jenis modul memori dan penyimpanan ini tidak diproduksi secara massal karena sel horizontal memerlukan lebih banyak ruang fisik sehingga ukuran chip meningkat. Jadi, Flash 2D NAND memiliki skalabilitas.
Flash NAND 2D lebih murah daripada flash NAND 3D. Flash NAND 2D memiliki waktu latensi yang tinggi, namun menggunakan daya kurang lebih 50% lebih sedikit daripada NAND 3D. Flash NAND 2D memiliki lebih banyak kontrol flash daripada yang 3D.
Memori Flash NAND 3D
Pada memori flash NAND 3D, ruang disimpan dengan menyusun sel memori secara vertikal dalam matriks tiga dimensi. Teknik pembuatan chip penyimpanan memori NAND ini menghemat banyak ruang fisik dan membuat chip lebih kecil. Hal ini juga memungkinkan pabrikan untuk meningkatkan kapasitas memori dengan mengurangi ukuran chip. Alasan inilah mengapa flash NAND 3D lebih mahal daripada memori flash 2D. Sangat sulit dan mahal untuk membuat memori flash NAND 3D.
No comments:
Post a Comment